발광소자

Light emitting device

Abstract

전류 스프레딩이 개선된 발광소자가 개시된다. 일 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극;을 포함하고, 상기 발광 구조물은 제2 도전형 반도체층과 활성층 및 제1 도전형 반도체층의 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층을 노출하는 메사 식각 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 메사 식각 영역에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층 상에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극의 사이에 제1 투명 전극층이 배치되고, 상기 메사 식각 영역을 사이에 두고 이격된 제1 투명 전극층의 사이에 제2 투명 전극층이 배치된다.
Disclosed is a light emitting device with improved current spreading. The light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; a first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer; and a second electrode disposed on the second conductive semiconductor layer, wherein the light emitting structure includes a mesa-etched region where a portion of the second conductive semiconductor layer, active layer, and first conductive semiconductor layer is etched to expose the first conductive semiconductor layer, the first electrode is disposed on the first semiconductor layer exposed through the mesa-etched region, a first transparent electrode layer is disposed between the second conductive semiconductor layer and the second electrode, and a second transparent electrode layer is disposed between portions of the first conductive semiconductor layer separated from each other with the mesa-etched region placed centered.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle