반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스

Fabricating Method of Semiconductor Device and the Semiconductor Device

Abstract

Disclosed are a method for fabricating a semiconductor device which can reduce fabrication costs and can increase binding power to a substrate, and a semiconductor device by the same. According to an embodiment of the present invention, the method for fabricating a semiconductor device comprises: a selective etching step of forming through silicon vias on the front surface of a semiconductor die, filling the through silicon vias by inserting an insulator into the through silicon vias, and exposing the insulator by selectively etching the back surface of the semiconductor die; an inorganic layer forming step of forming an inorganic layer on the back surface of the semiconductor die; an organic layer forming step of forming an organic layer on the inorganic layer; and a planarization step of exposing the through silicon vias of the semiconductor die by smoothing the back surface of the semiconductor die.
본 발명에서는 제조 비용을 줄이고, 서브스트레이트에 대한 결합력을 높일 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스가 개시된다. 일 예로, 반도체 다이의 전면에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀에 절연체를 개재하여 관통 전극을 충진하며, 상기 반도체 다이의 후면을 선택적으로 식각하여 상기 절연체가 노출되도록 하는 선택적 식각 단계; 상기 반도체 다이의 후면을 따라 무기막을 형성하는 무기막 형성 단계; 상기 무기막을 따라 유기막을 형성하는 유기막 형성 단계; 상기 반도체 다이의 후면을 평탄화하여 상기 반도체 다이의 관통 전극을 노출시키는 평탄화 단계를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 개시된다.

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    KR-20160094680-AAugust 10, 2016앰코 테크놀로지 코리아 주식회사Semiconductor package